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NTP5D0N15MC
1个N沟道 耐压:150V 电流:139A
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- 描述
- 特性：屏蔽栅MOSFET技术。 最大RDS(ON) = 5.0 mΩ，在VGS = 10 V，ID = 97 A时。 Qrr比其他MOSFET供应商低50%。 降低开关噪声/EMI。 100% UIL测试。 这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准。应用：ATX/服务器/电信电源的同步整流。 电机驱动和不间断电源
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTP5D0N15MC
- 商品编号
- C898811
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 139A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,97A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.3nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款功率MOSFET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。专为电源、转换器和动力电机控制中的低电压、高速开关应用而设计，这些器件特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严格的桥式电路，并且能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 规定了雪崩能量
- 规定了高温下的漏源极泄漏电流（IDSS）和漏源导通电阻（VDS(on)）
应用领域
-电源-转换器-动力电机控制-桥式电路