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NTBGS4D1N15MC
1个N沟道 耐压:150V 电流:185A 电流:20A
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- 描述
- 特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 低QG和电容以最小化驱动器损耗。 降低开关噪声/EMI。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电动工具、电池供电的吸尘器。 无人机、物料搬运
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBGS4D1N15MC
- 商品编号
- C898805
- 商品封装
- D2PAK-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A；185A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V,104A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W；316W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.285nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.6pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- -6 A，-250 V，RDS（on） = 620 mΩ（最大值）@ VGS = -10 V，ID = -3 A
- 低栅极电荷（典型值29 nC）
- 低Crss（典型值27 pF）
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源
- 音频放大器
- 直流电机控制
- 可变开关电源应用