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NTBG040N120SC1实物图
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NTBG040N120SC1

1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:60A

描述
特性:典型RDS(on) = 40 mΩ。 超低栅极电荷(典型QG(tot) = 106 nC)。 低有效输出电容(典型Cₒₛₛ = 139 pF)。 100%雪崩测试。 Tⱼ = 175℃。 该器件无卤,符合豁免条款7a的RoHS标准,二级互连无铅。应用:UPS。 DC-DC转换器
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTBG040N120SC1
商品编号
C898801
商品封装
D2PAK-7​
包装方式
编带
商品毛重
2.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)60A
耗散功率(Pd)357W
阈值电压(Vgs(th))4.3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)106nC
输入电容(Ciss)1.789nF
反向传输电容(Crss)12.5pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)139pF
导通电阻(RDS(on))56mΩ

数据手册PDF