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NTBG080N120SC1
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:30A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBG080N120SC1
- 商品编号
- C898803
- 商品封装
- D2PAK-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.154nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 典型导通电阻RDS(on) = 80 mΩ
- 超低栅极电荷(典型总栅极电荷QG(tot) = 56 nC)
- 低有效输出电容(典型输出电容Coss = 79 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 最高结温TJ = 175°C
- 该器件无卤,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连采用无铅2LI工艺
应用领域
- 不间断电源(UPS)
- DC-DC转换器
- 升压逆变器