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NTBG060N090SC1实物图
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NTBG060N090SC1

1个N沟道 耐压:900V 电流:44A

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描述
特性:典型导通电阻RDS(on):在VGS = 15 V时为60 mΩ;在VGS = 18 V时为43 mΩ。 超低栅极电荷QG(tot) = 88 nC。 低电容高速开关(Coss = 115 pF)。 100%雪崩测试。 结温TJ = 175℃。 无卤化物,符合RoHS标准(豁免7a),二级互连无铅。应用:UPS。 DC-DC转换器
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTBG060N090SC1
商品编号
C898802
商品封装
D2PAK-7​
包装方式
编带
商品毛重
1.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)44A
耗散功率(Pd)211W
阈值电压(Vgs(th))4.3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)88nC
输入电容(Ciss)1.8nF
反向传输电容(Crss)12pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)115pF
导通电阻(RDS(on))84mΩ

数据手册PDF