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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 201A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 340W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 175nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.9nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 147pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
交货周期
订货69-71个工作日购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 800 个)个
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