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NTB095N65S3HF
1个N沟道 耐压:650V 电流:36A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET是利用电荷平衡技术的全新高压超结（SJ）MOSFET系列，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化的反向恢复性能可以减少额外元件并提高系统可靠性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTB095N65S3HF
- 商品编号
- C898798
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 272W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 80 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 66 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 569 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-电信/服务器电源-工业电源-电动汽车充电器-不间断电源/太阳能