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HUF76429S3ST
1个N沟道 耐压:60V 电流:47A
- 描述
- N 沟道，逻辑电平，UltraFET 功率 MOSFET，60V，44A，25mΩ
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF76429S3ST
- 商品编号
- C898694
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.48nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童公司专有的平面条形DMOS技术制造。这种先进技术特别针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及承受雪崩和换向模式下的高能脉冲而设计。这些器件非常适合用于高效开关型DC/DC转换器。
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.022 Ω,vGS = 10 V
- rDS(ON) = 0.025 Ω,VGS = 5 V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- 开关时间与RGS曲线