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NDB5060L
1个N沟道 耐压:60V 电流:26A
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- 描述
- 此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属工艺生产。此极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如汽车、DC/DC 转换器、PWM 电机控制和其他电池供电电路。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDB5060L
- 商品编号
- C898788
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 26 A、60 V。RDS(ON) = 0.05 Ω(VGS = 5 V时);RDS(ON) = 0.035 Ω(VGS = 10 V时)。
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源 - 漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 最高结温额定值为175°C。
- 高密度单元设计,实现极低的\mathsfRDS(ON)。
- 提供TO - 220和TO - 263(D^2PAK)封装,适用于通孔和表面贴装应用。
应用领域
-汽车-DC/DC转换器-PWM电机控制-其他电池供电电路