温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MTP3055VL
耐压:60V 电流:12A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。此类器件针对电源、转换器和电源电机控制中的低压、高速开关应用而设计，尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTP3055VL
- 商品编号
- C898732
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有的平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 1.5 A，-500 V，在栅源电压（VGS） = -10 V、漏极电流（ID） = -0.75 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 10.5 Ω（最大值）
- 低栅极电荷（典型值11 nC）
- 低Crss（典型值6.0 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器