- 引脚图
- 焊盘图
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HGTP20N60A4
HGTP20N60A4
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HGTP20N60A4
- 商品编号
- C898681
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | - | |
| 集电极电流(Ic) | - | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | - | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗优点。这款绝缘栅双极晶体管（IGBT）非常适合许多对低导通损耗至关重要、工作在高频下的高压开关应用。此器件已针对不间断电源（UPS）、焊机和感应加热等快速开关应用进行了优化。
商品特性
- 40 A，600 V @ Tc = 110°C
- 低饱和电压：VCE(sat) = 1.8 V @ IC = 20 A
- 典型下降时间：55 ns @ TJ = 125°C
- 低导通损耗
- 无铅器件
应用领域
- 不间断电源（UPS）
- 焊机