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FGD5T120SH
IGBT，1200V，5A，FS 沟槽
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- 描述
- 采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，仙童半导体（Fairchild）全新的第三代场截止 IGBT 系列产品，可为浪涌电流限制、照明和家电应用提供最佳性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGD5T120SH
- 商品编号
- C903665
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.901克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 12.5A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.6V@5A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.5V@5mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 209pF | |
| 输出电容(Coes) | 11pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 2pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 4.8ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 24.8ns | |
| 导通损耗(Eon) | 247uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 94uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
- ISL9V2040D3STV
- ISL9V3036D3STV
- ISL9V3040D3STV
- NGTD13T65F2SWK
- NGTD13T65F2WP
- NGTD14T65F2SWK
- NGTD14T65F2WP
- NGTD17T65F2WP
- NGTD20T120F2SWK
- NGTD21T65F2SWK
- NGTD21T65F2WP
- NGTD23T120F2SWK
- NGTD23T120F2WP
- NGTD28T65F2WP
- NGTD30T120F2SWK
- NGTD30T120F2WP
- NVG800A75L4DSC
- NVG800A75L4DSC-Z008
- NXH50C120L2C2ES1G
- NXH50C120L2C2ESG
- NXH40T120L3Q1SG