温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FGD5T120SH
IGBT，1200V，5A，FS 沟槽
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，仙童半导体（Fairchild）全新的第三代场截止 IGBT 系列产品，可为浪涌电流限制、照明和家电应用提供最佳性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGD5T120SH
- 商品编号
- C903665
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.901克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 输出电容(Coes) | 11pF | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.6V@5A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.5V@5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC | |
| 输入电容(Cies) | 209pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 4.8ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 24.8ns | |
| 导通损耗(Eon) | 247uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 94uJ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 2pF |
相似推荐
其他推荐