NGTD21T65F2WP
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- 描述
- 此款绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的场截止 II 沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NGTD21T65F2WP
- 商品编号
- C906357
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
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