- 引脚图
- 焊盘图
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NXH100B120H3Q0PTG
NXH100B120H3Q0PTG
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NXH100B120H3Q0PTG
- 商品编号
- C906585
- 商品封装
- PIM-22(32.5x55)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | IGBT模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 186W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 61A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.77V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.27V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 409nC@600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 9.075nF | |
| 输出电容(Coes) | 173pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 147pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 44ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 203ns | |
| 导通损耗(Eon) | 700uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.5mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 15ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |