FCHD190N65S3R0-F155
1个N沟道 耐压:650V 电流:17A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCHD190N65S3R0-F155
- 商品编号
- C906609
- 商品封装
- TO-247AD
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 144W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
FDS6900AS旨在替代同步DC-DC电源中的两个单SO-8 MOSFET和肖特基二极管，该电源为笔记本电脑和其他电池供电的电子设备提供各种外设电压。FDS6900AS包含两个独特的30 V、N沟道、逻辑电平PowerTrench MOSFET，旨在最大限度地提高功率转换效率。 高端开关（Q1）特别注重降低开关损耗，而低端开关（Q2）则经过优化以降低传导损耗。Q2还采用单片SyncFET技术集成了一个肖特基二极管。
商品特性
- Q2：经过优化以最小化传导损耗，包含SyncFET肖特基体二极管，8.2 A、30 V
- VGS = 10 V时，RDS(on) = 22 mΩ
- VGS = 4.5 V时，RDS(on) = 28 mΩ
- Q1：针对低开关损耗进行优化，栅极电荷低（典型值为11 nC），6.9 A、30 V
- VGS = 10 V时，RDS(on) = 27 mΩ
- VGS = 4.5 V时，RDS(on) = 34 mΩ
- 100%进行R_G（栅极电阻）测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准