FCHD125N65S3R0-F155
1个N沟道 耐压:650V 电流:24A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCHD125N65S3R0-F155
- 商品编号
- C906608
- 商品封装
- TO-247AD
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 181W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.94nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CS3415采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。
商品特性
- VDS = -20 V；ID = -4 A
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 50 mΩ
- 当VGS = -2.5 V时，RDS(ON) < 70 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 静电放电（ESD）等级：人体模型（HBM）2000V
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理