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NGTD30T120F2SWK引脚图
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NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NGTD30T120F2SWK
商品编号
C906362
商品封装
SMD​
包装方式
袋装
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)-
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)-
集电极脉冲电流(Icm)200A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))2.4V;2V
栅极阈值电压(Vge(th))4.5V;5.5V;6.5V
栅极电荷量(Qg)-
属性参数值
输入电容(Cies)7.385nF
输出电容(Coes)230pF
反向传输电容(Cres)140pF
开启延迟时间(Td(on))-
关断延迟时间(Td(off))-
导通损耗(Eon)-
关断损耗(Eoff)-
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF