NGTD20T120F2WP
NGTD20T120F2WP
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- 描述
- 此款绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的场截止 II 沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NGTD20T120F2WP
- 商品编号
- C906355
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@20A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.5V@400uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.42nF@20V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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