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HGTP5N120BND
NPT系列N沟道IGBT，内置反并联超快二极管
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- 描述
- HGTG5N120BND和HGTP5N120BND采用非穿通（NPT）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）设计。它们是MOS栅控高压开关IGBT系列的新成员
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HGTP5N120BND
- 商品编号
- C898683
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 21A | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.7V@5A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V@45uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 22ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 160ns | |
| 导通损耗(Eon) | 600uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 450uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 65ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |