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HUF75344P3实物图
  • HUF75344P3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HUF75344P3

1个N沟道 耐压:55V 电流:75A

描述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻,可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 此器件设计用于能效非常重要的应用,例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。 以前的开发类型为TA75344。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
HUF75344P3
商品编号
C898686
商品封装
TO-220AB-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.68克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@10V,75A
耗散功率(Pd)285W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)310pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

数据手册PDF

交货周期

订货65-67个工作日

购买数量

(800个/管,最小起订量 1600 个)
起订量:1600 个800个/管

总价金额:

0.00

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