- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FGD3245G2-F085V
FGD3245G2-F085V
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- 描述
- FGD3245G2-F085C 是使用安森美半导体的 EcoSPARK 2 工艺设计的 N 沟道 IGBT，有助于消除外部保护电路。该技术适用于在汽车点火系统的严酷环境中驱动线圈，在更高的运行温度下也能提供出色的 Vsat 和 SCIS 能源能力。逻辑电平门极输入具有 ESD 保护，以及一个集成式门极电阻。集成式齐纳电路会将 IGBT 的集极-射极电压限制在 450 V，可实现需要更高火花电压的系统。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGD3245G2-F085V
- 商品编号
- C903658
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 450V | |
| 集电极电流(Ic) | 23A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | - | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.13V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 900ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |