- 引脚图
- 焊盘图
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HGTP3N60A4
HGTP3N60A4
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HGTP3N60A4
- 商品编号
- C898682
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 17A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 40A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@20V；21nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 6ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 73ns | |
| 导通损耗(Eon) | 37uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 25uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HGTP3N60A4是一款MOS栅极高压开关器件，结合了MOSFET和双极型晶体管的最佳特性。该器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通损耗。其导通压降在25°C至150°C范围内变化相对平缓。此IGBT非常适合许多对低导通损耗至关重要、工作在高频下的高压开关应用。该器件已针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 在390V、3A条件下工作频率 > 100kHz
- 在390V、2.5A条件下工作频率为 200kHz
- 600V 开关安全工作区能力
- 典型下降时间：在T_J = 125°C时为 70ns
- 12mJ E_AS 能力
- 低导通损耗