- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HGT1S20N60C3S9A
HGT1S20N60C3S9A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HGT1S20N60C3S9A
- 商品编号
- C898678
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 164W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V；1.4V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC@15V；122nC@20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 28ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 151ns；280ns | |
| 导通损耗(Eon) | 500uJ；1mJ；380uJ；295uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.2mJ；500uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这一系列MOS栅控高压开关器件结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。在25°C至150°C之间，其低得多的导通状态电压降变化适中。IGBT非常适合许多在中等频率下运行的高压开关应用，在这些应用中，低传导损耗至关重要，例如：交流和直流电机控制、电源以及螺线管、继电器和接触器的驱动器。
商品特性
- 45A，600V，Tc = 25°C
- 600V开关安全工作区能力
- 典型下降时间：在Tj = 150°C时为108ns
- 短路额定值
- 低传导损耗
- 相关文献 - TB334 “表面贴装元件焊接到印刷电路板的指南”
应用领域
交流和直流电机控制、电源以及螺线管、继电器和接触器的驱动器