- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HGT1S12N60A4DS
HGT1S12N60A4DS
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HGT1S12N60A4DS
- 商品编号
- C898677
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 54A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 96A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 96ns | |
| 导通损耗(Eon) | 55uJ；160uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 50uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 30ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |