温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQB19N20CTM
1个N沟道 耐压:200V 电流:19A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB19N20CTM
- 商品编号
- C898637
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 19.0 A、200 V,VGS = 10 V、ID = 9.5 A时,RDS(on) = 170 mΩ(最大值)
- 低栅极电荷(典型值40.5 nC)
- 低Crss(典型值85 pF)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器