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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W；120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 19.0 A、200 V，VGS = 10 V、ID = 9.5 A时，RDS(on) = 170 mΩ（最大值）
- 低栅极电荷（典型值40.5 nC）
- 低Crss（典型值85 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器