我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
FQB9P25TM实物图
  • FQB9P25TM商品缩略图
  • FQB9P25TM商品缩略图
  • FQB9P25TM商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

FQB9P25TM

1个P沟道 耐压:250V 电流:9.4A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FQB9P25TM
商品编号
C898649
商品封装
D2PAK​
包装方式
编带
商品毛重
1.78克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)9.4A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)3.13W；120W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)29nC@10V
输入电容(Ciss)910pF@25V
反向传输电容(Crss)27pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

数据手册PDF

放大查看下载PDF