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FQB8N90CTM
1个N沟道 耐压:900V 电流:6.3A
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- 描述
- 这些N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用专有平面条纹DMOS技术生产。此先进技术经特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB8N90CTM
- 商品编号
- C898648
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.02875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 171W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 6.3 A、900 V,VGS = 10 V时,RDS(on) = 1.9 Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值35 nC)
- 低Crss(典型值12 pF)
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善了dv/dt能力
应用领域
- 开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用