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FQB27P06TM
1个P沟道 耐压:60V 电流:27A
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- 描述
- 此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB27P06TM
- 商品编号
- C898640
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.869565克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,13.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
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