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FQB34N20LTM
1个N沟道 耐压:200V 电流:31A
- 描述
- N-Channel增强模式功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB34N20LTM
- 商品编号
- C898642
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.839克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V,15.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@160V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货59-61个工作日购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 800 个)个
起订量：800 个800个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单