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FQB34N20LTM
1个N沟道 耐压:200V 电流:31A
- 描述
- N-Channel增强模式功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB34N20LTM
- 商品编号
- C898642
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.839克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@160V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET™ MOSFET是仙童半导体基于平面条形和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET经过专门设计，可降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- 31 A、200 V,RDS(on) = 75 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 15.5 A
- 低栅极电荷(典型值55 nC)
- 低Crss(典型值52 pF)
- 100%雪崩测试
- 低电平栅极驱动要求,可直接由逻辑驱动器操作
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器