FQB7P20TM-F085
1个P沟道 耐压:200V 电流:7.3A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB7P20TM-F085
- 商品编号
- C898647
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W；90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 7.3A,-200V,RDS(on) = 0.69Ω(VGS = -10 V时)
- 低栅极电荷(典型值19 nC)
- 低Crss(典型值25 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合AEC Q101标准
- 符合RoHS标准
应用领域
-用于ATX/服务器/电信电源的同步整流-电机驱动器和不间断电源-微型太阳能逆变器