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FQB1P50TM
1个P沟道 耐压:500V 电流:1.5A
- 描述
- 这款P沟道增强型功率MOSFET采用仙童半导体公司专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB1P50TM
- 商品编号
- C898639
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 1.5 A,-500 V,RDS(on) = 10.5 Ω(最大值)@VGS = -10 V,ID = -0.75 A
- 低栅极电荷(典型值11 nC)
- 低Crss(典型值6.0 pF)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器