温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDP030N06B-F102
1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP030N06B-F102
- 商品编号
- C898579
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 205W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 99nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- RDS(on) = 2.67 mΩ(典型值),VGS = 10 V,ID = 100 A
- 低品质因数RDS(on) * QG
- 低反向恢复电荷,Qrr = 78 nC
- 软反向恢复体二极管
- 可实现同步整流的高效率
- 快速开关速度
- 经过100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源
- 可再生能源系统