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FDP100N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:75A
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- 描述
- 该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP100N10
- 商品编号
- C898586
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,75A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
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