FQB11P06TM
1个P沟道 耐压:60V 电流:11.4A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB11P06TM
- 商品编号
- C898635
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- -11.4 A,-60 V,在VGS = -10 V、ID = -5.7 A时,RDS(on) = 175 mΩ(最大值)
- 低栅极电荷(典型值13 nC)
- 低Crss(典型值45 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 最高结温额定值为175°C
- D2-PAK
应用领域
-开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用