FDP5N60NZ
1个N沟道 耐压:600V 电流:4.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP5N60NZ
- 商品编号
- C898595
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.65Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET™ MOSFET基于平面条纹和DMOS技术。这款MOSFET经过专门设计，可降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。通过寿命控制，UniFET FRFET® MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了增强。其trr小于100纳秒，反向dv/dt抗扰度为15V/ns，而普通平面MOSFET的trr超过200纳秒，反向dv/dt抗扰度为4.5V/ns。因此，在MOSFET体二极管性能至关重要的某些应用中，它可以减少额外元件，提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 2.25 A条件下,RDS(导通) = 1.65 Ω(典型值)
- 低栅极电荷(典型值10 nC)
- 低Crss(典型值5 pF)
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 增强的ESD防护能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-LCD/LED/PDP电视-照明-不间断电源-交流-直流电源