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FQB11N40CTM
1个N沟道 耐压:400V 电流:10.5A
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- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条状DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB11N40CTM
- 商品编号
- C898634
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 530mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@320V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.09nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用仙童半导体公司专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 10.5 A、400 V,RDS(on) = 530 m Ω(最大值),条件为VGS = 10 V、ID = 5.25 A
- 低栅极电荷(典型值28 nC)
- 低Crss(典型值85 pF)
- 经过100%雪崩测试
应用领域
-开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用