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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 255W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.152nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 89pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 80 A条件下,RDS(导通) = 15 mΩ(典型值)
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(导通)
- 低米勒电荷
- 具备单脉冲和重复脉冲的非钳位感性负载开关(UIS)能力
应用领域
-消费电器-同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源-微型太阳能逆变器