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FDP2D3N10C
耐压:100V 电流:222A
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- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP2D3N10C
- 商品编号
- C898591
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 222A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
此N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 100 A时,最大rDS(on) = 2.3 mΩ
- 极低的反向恢复电荷Qrr
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电机驱动器和不间断电源
- 微型太阳能逆变器