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FDP2D3N10C
耐压:100V 电流:222A
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- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP2D3N10C
- 商品编号
- C898591
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 222A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.18nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
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