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FDP039N08B-F102
1个N沟道 耐压:80V 电流:171A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP039N08B-F102
- 商品编号
- C898582
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 171A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.16mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 133nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.45nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- RDS(on) = 2.67 mΩ（典型值），VGS = 10 V， ID = 100 A
- 低品质因数RDS(on) * Q_G
- 低反向恢复电荷，Q_rr = 78 nC
- 软反向恢复体二极管
- 可实现同步整流的高效率
- 快速开关速度
- 经过100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源
- 可再生能源系统