温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDP038AN06A0
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：RDS(on) = 3.5mΩ (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 80A。 QG(tot) = 96nC (Typ.) @ VGS = 10V。 低米勒电荷。 低Qrr体二极管。 UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。应用：用于ATX/服务器/电信电源的同步整流。 电池保护电路
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP038AN06A0
- 商品编号
- C898580
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 6.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 367pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 70 A条件下，典型rDS(on) = 6.8 mΩ
- 在VGS = 10 V条件下，典型Qg(10) = 44 nC
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具备UIS能力（单脉冲/重复脉冲）
- 通过AEC Q101认证
- 符合RoHS标准
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力系统管理
- 螺线管和电机驱动器
- 电子变速器
- 分布式电源架构和VRM
- 12V系统的主开关