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FDP038AN06A0
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 特性：RDS(on) = 3.5mΩ (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 80A。 QG(tot) = 96nC (Typ.) @ VGS = 10V。 低米勒电荷。 低Qrr体二极管。 UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。应用：用于ATX/服务器/电信电源的同步整流。 电池保护电路
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP038AN06A0
- 商品编号
- C898580
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 6.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 367pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 80 A时,RDS(on) = 3.5 mΩ(典型值)
- 当VGS = 10 V时,QG(tot) = 96 nC(典型值)
- 低密勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具备UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动器和不间断电源