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FDP020N06B-F102
1个N沟道 耐压:60V 电流:313A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP020N06B-F102
- 商品编号
- C898578
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 313A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 268nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 127pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
此N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。
商品特性
- RDS(on) = 1.65 mΩ (Typ.)@VGS=10 V, ID=100 A
- 低FOM RDS(on) * QG
- 低反向恢复电荷, Qrr = 194 nC
- 软反向恢复体二极管
- 可实现高效同步整流
- 快速开关速度
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 用于ATX/服务器/电信PSU的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源
- 可再生系统