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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 182A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 9.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 510pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SuperFET II MOSFET 是利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。此外，内部栅源极 ESD 二极管允许经受超过 2 kV HBM 冲击压力。因此，SuperFET II MOSFET 非常适合功率开关应用，如音频、笔记本适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 80 A条件下,RDS(on) = 2.3 mΩ(典型值)
- QG(tot) = 142 nC(典型值)
- 低米勒电荷,QGD = 32 nC(典型值)
- 具有UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具
- 电机驱动器和不间断电源
- 同步整流
- 电池保护电路