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FDB86566-F085
1个N沟道 耐压:60V 电流:110A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB86566-F085
- 商品编号
- C898569
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 176W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 6.655nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SUPERFET II MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，与SUPERFET II MOSFET系列相比，SUPERFET II MOSFET易驱动系列的上升和下降时间略慢。该系列产品型号后缀为“E”，有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计更容易实现。对于要求开关损耗必须极低的快速开关应用，请考虑选用SUPERFET II MOSFET系列。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 RDS(on) = 2.2 m Ω
- 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 Qg(\text tot) = 80 nC
- 具有单脉冲雪崩耐量
- 符合 RoHS 标准
- 通过 AEC Q101 认证
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力总成管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 集成启动发电机
- 12V 系统主开关