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FDB86102LZ
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻和开关损耗。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB86102LZ
- 商品编号
- C898564
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.885克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.275nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 8.3 A时,最大rDS(on) = 24 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 6.8 A时,最大rDS(on) = 35 mΩ
- 人体模型(HBM)ESD保护等级典型值>6 kV
- 与同类沟槽技术相比,Qg和Qgd极低
- 开关速度快
- 经过100%单脉冲电感负载(UIL)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC转换-逆变器-同步整流器