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FDB86563-F085
1个N沟道 耐压:60V 电流:110A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB86563-F085
- 商品编号
- C898568
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 186pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 80 A条件下,典型RDS(on) = 1.6 mΩ
- 在VGS = 10 V、ID = 80 A条件下,典型Qg(tot) = 126 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 符合RoHS标准
- 通过AEC Q101认证
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力总成管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 集成式起动机/交流发电机
- 12V系统主开关