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FDB86135
1个N沟道 耐压:100V 电流:75A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB86135
- 商品编号
- C898565
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W；227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.485nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持出色的耐用性和开关性能的同时，最大程度降低导通电阻，适用于工业应用。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 75 A时,最大RDS(on) = 3.5 m Ω
- 快速开关速度
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(on)
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC初级桥-DC-DC同步整流-热插拔