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FDB86363-F085
1个N沟道 耐压:80V 电流:110A
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- 描述
- 特性：典型RDS(on)=2.0 mΩ，VGS = 10 V，ID = 80 A。 典型Qg(tot)=131 nC，VGS = 10 V，ID = 80 A。 UIS能力。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 此器件无铅、无卤化物且符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB86363-F085
- 商品编号
- C898567
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 10nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过专门优化，可最大程度降低导通电阻和开关损耗。增加了G-S齐纳二极管以提高ESD电压等级。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 8.3 A时，最大rDS(on) = 24 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 6.8 A时，最大rDS(on) = 35 mΩ
- 人体模型（HBM）ESD保护等级典型值>6 kV
- 与同类沟槽技术相比，Qg和Qgd极低
- 开关速度快
- 经过100%单脉冲电感负载（UIL）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换-逆变器-同步整流器