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FDB3502
1个N沟道 耐压:75V 电流:14A
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- 描述
- 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB3502
- 商品编号
- C898556
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.791克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 815pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 6 A的条件下,最大rDS(on) = 47 mΩ
- 经过100% UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-同步整流器