FDB3652-F085
1个N沟道 耐压:100V 电流:61A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB3652-F085
- 商品编号
- C898559
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- rDS(ON) = 14 mΩ(典型值),VGS = 10 V,ID = 61 A
- Qg(tot) = 41 nC(典型值),VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低QRR体二极管
- 具备单脉冲和重复脉冲的UIS能力
- 通过AEC Q101认证
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器和离线式UPS
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 24V和48V系统的主开关
- 高压同步整流器
- 直喷/柴油喷射系统
- 42V汽车负载控制
- 电子气门机构系统