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FDB2532-F085实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDB2532-F085

1个N沟道 耐压:150V 电流:79A

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描述
N 沟道,PowerTrench MOSFET,150V,79A,16mΩ,这种最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC,卓越的软逆向恢复本征体二极管性能,开关速度快,可大幅提高同步整流的能效。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDB2532-F085
商品编号
C898553
商品封装
TO-263-2​
包装方式
编带
商品毛重
2.27克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)79A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)310W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)5.81nF
反向传输电容(Crss)135pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • RDS(ON) = 14 mΩ(典型值),VGS = 10 V,ID = 33 A
  • Qg(tot) = 82 nC(典型值),VGS = 10 V
  • 低米勒电荷
  • 低QRR体二极管
  • 具备UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
  • 这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

  • 直流-直流转换器和离线式UPS
  • 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
  • 24V和48V系统的主开关
  • 高压同步整流器
  • 直喷/柴油喷射系统
  • 42V汽车负载控制
  • 电子气门机构系统
  • 同步整流

数据手册PDF